7.0 x 5.0毫米SMD压控温度补偿晶体振荡器
分类:
• 外形尺寸7.0x5.0x1.9mm • 体积小、重量轻 • 频率精度高(±0.28ppm@-40 ~+85°℃,±0.2ppm@-40~+105℃)
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宽温度范围
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超低抖动
高稳定性
超高频
产品详细信息
特征
• 外形尺寸7.0x5.0x1.9mm
• 体积小、重量轻
• 频率精度高(±0.28ppm@-40 ~+85°℃,±0.2ppm@-40~+105℃)
典型应用
• 可广泛应用于工业电子设备和仪器中
尺寸
电性能参数
| 技术指标 | 5.0伏 | 3.3伏 | 单位 | |||
| Min | Max | Min | Max | |||
| 工作电压 (VDD) | Vdd-5 % | Vdd + 5% | Vdd-5 % | Vdd + 5% | V | |
| 输出频率 | 5 | 52 | 5 | 52 | MHz | |
| 标称频率 (用于COMS) | 10，12.8，16.384，19.2，19.44，20，25，26 | |||||
| 频率精确度 (25 °C) | - | ± 2.0 | - | ± 2.0 | ppm | |
| 频率稳定度 | Vs电源电压 (± 5%) 变化 | - | ± 0.1 | - | ± 0.05 | ppm |
| Vs负荷 (± 10%) 变化 | - | ± 0.05 | - | ± 0.05 | ||
| Vs老化率 (@ 第一年) | - | ± 1.0 | - | ± 1.0 | ||
| 输入电流 (CMOS output) | - | 6 | - | 6 | mA | |
| 输入电流(Clipped sine wave) | - | 3.5 | - | 3.5 | ||
| 输出电平 | 输出高电平 | 90% Vdd | - | 90% Vdd | - | V |
| 输出低电平 | - | 10% Vdd | - | 10% Vdd | ||
| CMOS | Duty | 45 | 55 | 45 | 55 | % |
| 输出电平 (Clipped sine) | 0.8 | - | 0.8 | - | Vp-p | |
| 负载 (CMOS) | 15pF | 15pF | pF | |||
| 负载 (Clipped sine) | 10KΩ // 10pF | 10KΩ // 10pF | ||||
| 控制电压范围 (VCTCXO) | 0.5 | 2.5 | 0.5 | 2.5 | V | |
| 牵引范围 (VCTCXO) | ± 5.0 | - | ± 5.0 | - | ppm | |
| 压控输入阻抗 | 100 | - | 100 | - | KΩ | |
| 相位噪声@19.2 MHz | 100Hz | -130 | -130 | dBc/Hz | ||
| 1 kHz | -145 | -145 | ||||
| 10 kHz | -154 | -154 | ||||
| 启动时间 | - | 2 | - | 2 | 毫秒 | |
| 存储温度 | -55 | 125 | -55 | 125 | ℃ | |
标准频率显指晶体设计的频率，并不表示存货状况。
* 回流埋后1小时,在25℃条件下测量的频率。
FREO.稳定性vs.温度。范围
| 温度 (℃) / ppb | ± 0.05 | ± 0.1 | ± 0.14 | ± 0.2 | ± 0.28 | ± 0.5 | ± 2 |
| -10 ~ 70 | ⚪ | ⚪ | ⚪ | ⚪ | ⚪ | ⚪ | ⚪ |
| -20 ~ 85 | ❌ | ⚪ | ⚪ | ⚪ | ⚪ | ⚪ | ⚪ |
| -40 ~ 85 | ❌ | ❌ | ❌ | ▲ | ⚪ | ⚪ | ⚪ |
| -40 ~ 95 | ❌ | ❌ | ❌ | ❌ | ❌ | ▲ | ⚪ |
| -40 ~ 105 | ❌ | ❌ | ❌ | ❌ | ❌ | ❌ | ⚪ |
⚪: 可提供 ▲: 有条件下提供❌: 不可提供
注意: 并非所有选项组合都可提供。其他规格可根据要求提供。
规格如有更改，恕不另行通知。
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